Південнокорейський гігант Samsung, за повідомленнями інтернет-джерел, вже наступного тижня оголосить про запуск масового виробництва напівпровідникових виробів із застосуванням передового 3-нанометрового технологічного процесу.
Йдеться про використання транзисторів з кільцевими або комплексними затворами GAA (Gate-All-Around). Стверджується, що в порівнянні з актуальними FinFET-транзисторами новий техпроцес забезпечить можливість зниження енергоспоживання на 50%, підвищення продуктивності на 30% і скорочення площі на 45%.
Таким чином, Samsung зможе випередити свого конкурента у сегменті контрактного виробництва напівпровідникової продукції – компанію TSMC. Остання має намір запустити масовий випуск 3-нм виробів у другій половині цього року.
Зазначається також, що компанія Samsung вже розпочала розробку 2-нм технологічного процесу. Але на комерційній основі його буде впроваджено не раніше 2025 року.
За оцінками TrendForce, лідером глобального ринку виробництва напівпровідникових чипів є TSMC з часткою 53,6% у загальному обсязі продажів у грошах (за підсумками першого кварталу 2022 року). Samsung розташовується на другому місці з результатом 16,3%.
Джерело: en.yna.co.kr
